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Toshiba propose le super-réseau sous la porte de transfert

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On dit qu'également le courant d'obscurité et les défauts blancs de Pixel sont réduits

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La demande de brevet de Toshiba US20150008482 « méthode de dispositif et de fabrication de semi-conducteur en » par Motoyuki Sato indique que cela la fabrication du super-réseau de SiGe sous la porte de transfert peut rigoureusement réduire l'influence des pièges d'interface de SiO2/Si qui potentiellement peuvent capturer des photoélectrons pendant le transfert.